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【摘 要】
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运用正交设计,对CdZnTe晶体生长用高纯石英坩埚内壁镀膜过程中的镀膜温度、镀膜时间、气体流量、冷却时间四个因素进行了研究和优化。用金相显微镜,扫描电镜观察分析了不同镀
【机 构】
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山东理工大学材料科学与工程学院
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2009年1期
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