【摘 要】
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三星电子首次成功开发4Mb 铁介质随机存储器(FRAM),该产品结合了动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和快闪存储器的技术优势,并首次应用1T/1C 及 COB 技术
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三星电子首次成功开发4Mb 铁介质随机存储器(FRAM),该产品结合了动态随机存取存储器(DRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)和快闪存储器的技术优势,并首次应用1T/1C 及 COB 技术,使该产品较同类产品的体积减少一半。FRAM 一直是业界公认的半导体存储器领域性能最好的器件,它便于设计,可应用于传统上采用 DRAM 的数据存储应用领域,同时具有 SRAM 的
For the first time, Samsung Electronics has successfully developed 4Mb FRAM, which combines the technical advantages of DRAM, SRAM and flash memory with the first application of 1T / 1C and COB technology, so that the product than similar products in size by half. FRAM has long been recognized as the best performing device in the field of semiconductor memory and is easy to design for data storage applications that traditionally use DRAM while having SRAM
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