CIGS双梯度带隙吸收层的制备及特性

• 作 者: 李强 康振锋 刘文德 郑平平 肖玲玲 范悦 薄青瑞 齐彬彬
• 机 构: 内蒙古大学物理科学与技术学院，内蒙古自治区半导体光伏技术重点实验室，内蒙古 呼和浩特 010021
• 出 处: 真空
• 发表日期: 2014年1期
• 关键词: 脉冲激光沉积 CuIn(1-x)GaxSe2 XPS逐层刻蚀 双梯度带隙

采用脉冲激光沉积（PLD）方法，在钠钙玻璃上沉积不同 Ga 含量的CuIn (1-x)GaxSe2薄膜，研究不同Ga含量对CIGS薄膜结构及光学特性的影响。研究表明：随着 Ga含量增加， CIGS薄膜的光学带隙增大。优选特性较好的CIGS沉积在同一个钠钙玻璃衬底上，使 Ga/( In+Ga )比在薄膜内纵深方向呈先减小后增加的变化。采用 XPS逐层刻蚀分析薄膜的元素组成，利用带隙近似公式得到能带随深度变化情况，最终得到结构、光学特性和电学特性较好的双梯度带隙结构薄膜。