Cd2SnO4薄膜光致发光某些性质的研究

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【摘要】

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本文研究了Cd_2SnO_4薄膜光致发光的某些性质.Cd_2SnO_4膜是利用Cd-Sn合金靶在Ar+O_2气氛中反应溅射而成的.实验研究表明,Cd_2SnO_4膜的发光峰值随着氧浓度的增加移向长波方

【作者】

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王万录高锦英

【机构】

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兰州大学物理系,兰州大学物理系兰州730000,兰州730000,兰州730000

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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1992年4期

【关键词】

：

硫酸镉薄膜光致发光发光特性

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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本文研究了Cd_2SnO_4薄膜光致发光的某些性质.Cd_2SnO_4膜是利用Cd-Sn合金靶在Ar+O_2气氛中反应溅射而成的.实验研究表明,Cd_2SnO_4膜的发光峰值随着氧浓度的增加移向长波方向.这是因为氧浓度的增加,减少了膜中的氧空位,导致了导带中电子浓度的减小,致使Burstein-Moss效应和电子散射作用相对减弱,从而改变了带隙宽度.

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