【摘 要】
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在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构性能的影响。结果表明随着衬底温度从２４０℃升高到３２０℃，薄膜的晶态率从２４％增
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在等离子体化学气相沉积系统中采用高氢稀释硅烷蚀刻法制备了纳米硅薄膜。系统地研究了衬底温度对ｎｃ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的结构性能的影响。结果表明随着衬底温度从２４０℃升高到３２０℃，薄膜的晶态率从２４％增大为６５％，平均晶粒尺寸从６ｎｍ增大为１０ｎｍ。当衬底温度≤２００℃时，生成薄膜为ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜。文中还对纳米硅薄膜的晶化机制进行了讨论。
Nanostructured silicon films were prepared by high-hydrogen-diluted silane etching in a plasma CVD system. The effect of substrate temperature on the structural properties of nc-Si: H thin films has been investigated systematically. The results show that as the substrate temperature increases from 240 ℃ to 320 ℃, the crystallinity of the films increases from 24% to 65% and the average grain size increases from 6nm to 10nm. When the substrate temperature ≤ 200 ℃, the film is a-Si: H thin film. The crystallization mechanism of nano-silicon film is also discussed.
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