极低暗电流InGaAs MSM—PD的光电特性研究

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:Javayuyu
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本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术,制作了InGaAsMSMS-PD光电探测器.实际结构表明:具有15nm的P-InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流,器件的暗电流均小于10nA,响应度为0.83A/W,FWHM为70ps,证明这是一种减小MSM-PD暗电流的有效设计方法.
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