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利用掺锡氧化铟（ITO）靶和Ta2O5靶双靶共溅法制备了氧化铟锡钽（ITTO）薄膜，研究了在不同衬底温度和退火温度下ITIO薄膜的微结构和光电性能。ITTO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度，不同的处理过程导致了晶面择优取向的转变。室温下制备的㈣薄膜展示了较好的光电性能，提高衬底温度和合理的退火处理可以显著地提高薄膜的光电特性。载流子浓度对于近红外反射、近紫外吸收和光学禁带宽度具有重要的影响。ITTO薄膜具有较宽的光学禁带宽度。在优化制备条件下，可以获得方阻10．20Ω/口、可见光透过率大于85％以