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在大气中，利用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在氢钝化的Ｓｉ（１１０）表面直接进行化学改性，形成了２０￣６０ｎｍ的ＳｉＯ线条，通过化学腐蚀，成功地将该ｎｍ线条转移到Ｓｉ基片上，实验证明，经ＳＴＭ改性的ＳｉＯ可以作为腐蚀掩膜，利用此氧化膜可以在Ｓｉ表面构造ｎｍ尺度图形结构，从而为研究构造具有量子效应的微器件工艺奠定了基础。