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本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺，着重分析了影响ＮＴＤ硅成品率的因素；命中率及断面均匀性。通过换位法、旋转辐照工艺，较大幅度地提高了ＮＴＤ硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率。
提高FZ NID硅成品率
【摘 要】
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本文根据中子嬗变掺杂的原理、工艺，着重分析了影响ＮＴＤ硅成品率的因素；命中率及断面均匀性。通过换位法、旋转辐照工艺，较大幅度地提高了ＮＴＤ硅单晶的命中率、断面均匀性及成品率。
【机 构】
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峨眉半导体材料研究所
【出 处】
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四川有色金属
【发表日期】
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1999年3期
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