【摘 要】
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宫尾、亘池等人[1]采用滑动液相外延技术,在掺Ge的P型InSb衬底片上,生长重掺Te的 n+型外延层.由于n+层的简并所呈现的伯恩斯坦-莫斯(Burster-Moss)位移效应[2,3],使入射光内3
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宫尾、亘池等人[1]采用滑动液相外延技术,在掺Ge的P型InSb衬底片上,生长重掺Te的 n+型外延层.由于n+层的简并所呈现的伯恩斯坦-莫斯(Burster-Moss)位移效应[2,3],使入射光内3—5um大气窗口波段的红外部分能透过n+层而无损耗地抵达耗尽层和P型基片,在体内产生光生载流子而引起高
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