【摘 要】
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SanDisk和Toshiba最近加大了合作开发Nand型闪存的力度,通过采用90nm工艺的多级蜂窝(Multilevel Cell)技术实现了4Gb容量的存储芯片。与此同时,他们的合作伙伴还利用该芯片
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SanDisk和Toshiba最近加大了合作开发Nand型闪存的力度,通过采用90nm工艺的多级蜂窝(Multilevel Cell)技术实现了4Gb容量的存储芯片。与此同时,他们的合作伙伴还利用该芯片开发出双倍容量(8Gb)的堆叠芯片。预计样品即将上市,4Gb和8Gb的售价分别为113和226美元。另外,堆叠了4块4Gb Nand芯片的封装样品计划于
SanDisk and Toshiba have recently stepped up their cooperation to develop Nand-type flash memories, enabling 4Gb-capacity memory chips with Multilevel Cell technology using 90nm processes. At the same time, their partners used the chip to develop double-capacity (8Gb) stacked chips. Sample is expected to be available soon, with 4Gb and 8Gb priced at $ 113 and $ 226, respectively. In addition, a stack of four 4Gb Nand chip package samples planned
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