利用背栅调制效应制作斩波稳零集成运放

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通常对N-MOS晶体管只研究负衬底偏置电压对其开启电压的影响,然而本文却在研究负偏置电压的基础上着重研究了正偏置电压对N-MOS晶体管开启电压的影响,提出了计算公式和实验曲线,并成功地用于CMOS斩波稳零集成运放中. N-MOS transistors are usually only studied on the negative substrate bias voltage on the voltage on its impact, but this article is based on the study of negative bias voltage focuses on the positive bias voltage on the N-MOS transistor turn-on voltage, Proposed calculation formula and experimental curve, and successfully used in CMOS chopper steady zero integrated operational amplifier.
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