【摘 要】
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以MCM-41为硅源,采用共沉淀法制备Sr2-xSiO4∶xCe3(x=0.01～0.09,步长为0.01)和Sr195-ySiO4∶0.05 Ce3+,yLi+ (y=0.01 ～0.07,步长为0.02)蓝紫色荧光粉.Sr2-xSiO4∶xCe3+的发射光
【机 构】
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福州大学材料科学与工程学院,福建福州,350108;福州大学材料科学与工程学院,福建福州350108;福州大学生态环境材料先进技术重点实验室,福建福州350108
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以MCM-41为硅源,采用共沉淀法制备Sr2-xSiO4∶xCe3(x=0.01～0.09,步长为0.01)和Sr195-ySiO4∶0.05 Ce3+,yLi+ (y=0.01 ～0.07,步长为0.02)蓝紫色荧光粉.Sr2-xSiO4∶xCe3+的发射光谱是一个不对称的宽带,最大峰值在410 nm左右.Ce3+的最佳掺杂量为5％.Ce3+离子倾向于占据九配位的Sr(Ⅱ)格位.共掺电荷补偿剂Li+可以有效地提高Sr1.95SiO4∶0.05Ce3+的发光强度,其中Li+离子对1 100℃煅烧样品的发光强度的提高程度比1 000℃的更高,Li+的最佳掺杂量为y=0.05.
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