【摘 要】
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高击穿电压ＩｎＡＩＡｓ／ｎ￣＋－ＩｎＧａＡｓＨＦＥＴ最近报道了一种适于高压应用的ＩｎＰ基ＨＦＥＴ，它采用的是双应变外延结构。为了提高器件的击穿电压，采用了如下方法：①采用量子阶沟道，以实现电子的量子化和提高有效沟道的带隙；②使
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高击穿电压ＩｎＡＩＡｓ／ｎ￣＋－ＩｎＧａＡｓＨＦＥＴ最近报道了一种适于高压应用的ＩｎＰ基ＨＦＥＴ，它采用的是双应变外延结构。为了提高器件的击穿电压，采用了如下方法：①采用量子阶沟道，以实现电子的量子化和提高有效沟道的带隙；②使用应变的Ｉｎ＿（０．４１...
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