【摘 要】
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介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083,中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室!北京100083,中国科学院半导
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介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm2,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88％,经50oC,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。
The material growth, device fabrication and optical properties of InAs / GaAs QDs are introduced. Device for the width of 100μm, length 1600μm uncoated exciters. The threshold current density at room temperature was 221 A / cm2, the lasing wavelength was 1.08 μm, the maximum optical power output was 2.74 W (double-sided) and the external derivative efficiency was 88%. After aging at 50oC and 1000h, Optical power output.
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