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本文报告了一种适用于大规模生产 GaAs 红外发光二极管的开管 Zn 扩散新工艺。详细叙述了开管 Zn 扩散的方法。实验结果表明表面载流子浓度达10~19cm~(-3),结深为2.0μm。
适用于GaAs红外发光二极管生产的开管Zn扩散
【摘 要】
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本文报告了一种适用于大规模生产 GaAs 红外发光二极管的开管 Zn 扩散新工艺。详细叙述了开管 Zn 扩散的方法。实验结果表明表面载流子浓度达10~19cm~(-3),结深为2.0μm。
【机 构】
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重庆光电技术研究所重庆永川632163
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1990年4期
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