表面处理与离子注入对GaN HEMT肖特基特性的影响

• 作 者: 宋建博 杨瑞霞 张志国 王勇 冯震 冯志宏 杨克武
• 机 构: 河北工业大学信息工程学院,中国电子科技集团公司第十三研究所,西安电子科技大学微电子学院
• 出 处: 半导体技术
• 发表日期: 2008年1期
• 关键词: 表面处理 离子注入 泄漏电流 理想因子 肖特基特性 surface treatment ion implantation leakage current

研究了不同的表面处理方法及离子注入对AlGaN／GaNHEMT肖特基特性的影响。在栅金属化前，采用不同的表面处理方法进行实验，发现通过表面处理，栅肖特基特性得到一定的改善，但还不能从根本上解决漏电大、理想因子偏高的问题。进一步实验发现，硼离子注入才是导致栅肖特基特性变差的主要因素，通过对离子注入的优化，器件栅金属化后的理想因子减小到1．6，栅源反向电压为-20V时，反向泄漏电流为2．8×10^-6A。