BCD工艺的外延层最佳参数选择

来源 :电子器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiwang1998
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智能功率集成电路SPIC是把低压控制和功率输出集成在同一芯片上,在电路内部实现具有防止短路,过载,高温和过大功率等功能.对于较低电压使用的SPIC,通常采用PN结隔离技术,集成双极型的CMOS和DMOS的器件结构,即所谓BCD技术,在工艺上就要实现双极型,CMOS和DMOS的工艺兼容.在这个兼容工艺中,选择外延层电阻率和厚度是个 Intelligent Power IC SPIC integrates low-voltage control and power output on the same chip, and has the functions of preventing short circuit, overload, high temperature and excessive power within the circuit. For lower voltage SPIC, PN junction isolation technology , Integrated bipolar CMOS and DMOS device structure, the so-called BCD technology, the process must be bipolar, CMOS and DMOS compatible process.In this compatible process, the choice of epitaxial layer resistivity and thickness is a
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