【摘 要】
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提出了一种新型带隙基准结构,该电路结构用于在大范围电源电压下产生高精度与温度成正比的电流源.通过将三极管作为运放的输入端,预先产生一个与温度成正比的电压差,来降低运
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,中国科学院大学,杭州中科微电子有限公司
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提出了一种新型带隙基准结构,该电路结构用于在大范围电源电压下产生高精度与温度成正比的电流源.通过将三极管作为运放的输入端,预先产生一个与温度成正比的电压差,来降低运算放大器失调电压的影响,同时降低带隙基准电路对电源电压的要求.通过0.18μm CMOS工艺搭建电路进行功能与性能的仿真验证,仿真结果表明该电路在电源电压从1.1V变化到4.8V,输出为2μA时,电流偏差不到2nA,电源抑制比达到100dB.在用于温度测量时可以显著减小由电源电压变化引起的误差.
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