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本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１０ｍｍ优质的Ｂｉ４ｓＩ３Ｏ１２及Ｆｅ，Ｃｒ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱，能谱及光产额，ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结交解释了掺杂影响Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体闪烁性能的规律。
过渡金属元素（Fe与Cr）掺杂Bi4SiO12晶体闪烁性能的研究
【摘 要】
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本文采用坩埚下降法生长出２０ｍｍ×２０ｍｍ×１０ｍｍ优质的Ｂｉ４ｓＩ３Ｏ１２及Ｆｅ，Ｃｒ掺杂Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体。测试了晶体的透射光谱，能谱及光产额，ＦＷＨＭ能量分辨率和激发－发射光谱。总结交解释了掺杂影响Ｂｉ４Ｓｉ３Ｏ１２晶体闪烁性能的规律。
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所,200050
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资!59472001,,山东大学晶体材料开放实验室资助
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