W-SiO2浆料与AlN共烧界面的微观结构分析

来源 :城市道桥与防洪 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Q13696800

【摘要】

：

氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中, 共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术. 本研究提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体浆料, 获得了SiO2的质量分

【作者】

：

胡永达蒋明杨邦朝崔嵩张经国

【机构】

：

电子科技大学信息材料工程学院,成都,610054信息产业部电子四十三所,合肥,230022;

【出处】

：

城市道桥与防洪

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

氮化铝多层共烧导带浆料烧结应力

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氮化铝共烧基板广泛用于高密度的多芯片组件的封装中, 共烧导带浆料的研制则是其中的关键技术. 本研究提出了以W为导电材料,SiO2为添加剂配制的导体浆料, 获得了SiO2的质量分数在0.45%时, 烧结应力减弱到充分小, 使得AlN共烧基板达到足够的致密度和平整度.导带方阻达到10 mΩ/□, 基板的翘曲度在50 mm中小于50 μm, 导带焊盘的键合强度大于29.4 MPa.

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