【摘 要】
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由于材料自身的优异物理电学性质,宽带隙半导体碳化硅(SiC)高功率MOSFETs器件可以大幅度降低电力系统的能耗,成为电力电子器件领域的关注热点。然而SiC MOSFET器件中SiC/SiO2
【机 构】
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大连理工大学电子信息与电气工程学部电子科学与技术学院,国网智能电网研究院,大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室
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由于材料自身的优异物理电学性质,宽带隙半导体碳化硅(SiC)高功率MOSFETs器件可以大幅度降低电力系统的能耗,成为电力电子器件领域的关注热点。然而SiC MOSFET器件中SiC/SiO2的界面态密度比Si/SiO2界面态密度高两个数量级左右,导致器件沟道迁移率较低,致使器件性能严重退化。碳元素的存在是过高界面态产生的关键因素,研究SiC MOSFET器件中SiC/SiO2界面附近碳的存在形式,可以更好的指导碳化硅氧化工艺,更好的发挥碳化硅器件优势。本文首先分析了SiC/SiO2高界面态的根本原因,接
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