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本文探讨了助熔剂法生长 YVO_4:RE~(3+)(RE:Pr,Sm,Tb,Er,Dy)晶体的工艺。讨论了助熔剂 V_2O_5,Pb_2P_2O_7和温度对晶体生长习性和缺陷的影响。测定了晶体的结构参数和光谱。Y_(0.9)Sm_(0.1)VO_4和 Y_(0.95)Dy_(0.05)VO_4晶体具有很好的光谱特性。