【摘 要】
：
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
论文部分内容阅读
为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100)、多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC.X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜.X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550oC时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构.当衬底是金刚石时,通过如下工艺:(1)较低温度(350oC)淀积;(2)空气氛围650oC快速退火5min,可以在Al2O3过渡层上获得高度(101)取向的钙钛矿结构的铁电相PZT薄膜.最后AFM测试显示,在硅衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为9.78nm;而在多晶金刚石衬底上,PZT薄膜的表面均方根粗糙度为17.2nm.
其他文献
目的 分析双侧结节性甲状腺肿术后的并发症及探讨手术方式的选择.方法 回顾性分析常州市第一人民医院普外科2002年4月～2007年12月收治的102例双侧结节性甲状腺肿手术治疗的临
由m台机器构成的Flow Shop,当工件在各机器上加工时间相同时,直觉上,等价于单机问题.本文推测单机情形最优解的性质及其确定策略也应适合此调度模型.本文就一些目标函数验证
洛德峡湾小学是挪威第一座依据新法--让残障和智障儿童就读于常规小学--建立的小学,1970年动工,1974年建成使用.学校位于特殊的基地,建筑师通过连续线性结构系统的设计构思和
3-丁酰基-8-甲氧基-4-(2-甲基苯基氨基)喹啉(SK&F 96067)是新合成的H+-K+- ATP酶抑制剂,它难溶于水.通过紫吸收光谱、分子荧光光谱和1H-NMR的方法研究该药物分子与β-环糊精(
全数字化语音系统的设计.该系统用DSP芯片TMS320F206对MSM6588语音芯片进行录音、放音控制,用FLASH存储器AM29F040B进行语音数据存储,用差分线驱动器和接收器SN75LBC180在RS-
通过 3根模型梁试验及有限元分析 ,研究了焊接钢吊车梁在偏心集中荷载作用下 ,裂缝区域应力分布规律 ,提出吊车梁腹板剪应力和主拉应力分别循环是导致裂缝扩展的根源
Throug
随机抽取 5所高校参加选项课学习的大学生、已毕业大学生和选项课任课教师作为调查对象 ,并对现状进行分析。结果表明 :学生普遍喜欢体育选项课 ,但对体育选项课学习的长远目
在分析支流汇入干流水流情况的基础上 ,提出了在一维水面线和二维流场计算时支流与干流的交界面的处理办法 .以水槽试验为算例 ,取得较为理想的效果
Based on the analysis
依据量子化学理论计算 ,设计并优化了 1-苯基二苯并膦 (1- phenydibenzophosphole,简称 PDBP)磺化制备二磺化 1-苯基二苯并膦 (5 H- phenyl- 3,13- disulfonatodibenophospho
通过采用NiC2O4*2H2O和NaOH进行固相反应,制备出10～20 nm的β-Ni(OH)2和20～30 nmNiO粉体,样品按一定的比例掺杂Co(OH)2和石墨粉制备复合电极,研究其电化学性能.结果表明掺杂Co(