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文章从定性方面研究了在高阻硅（3～10Ω·cm）衬底上,用3μmCMOS工艺制作的短沟（2.5～25μm）pMOS晶体管的性能,特别是这些器件用于模拟场合时在本体(|V<sub>gs</sub>|】|V<sub>r</sub>|)下的噪声性能。两种模式的噪声性能都用1/f噪声（谱频达约100Hz）和由衬底决定的白噪声来表征。研究了它们在导通区和关断区的性能。模拟和实验数据表明,这些晶体管具有二次线性区（称之为准线性区）而不是通常理论所描述的饱和区。