SOI NMOS晶体管在高剂量的X射线与^60Coγ射线辐射作用下的背栅阈值电压漂移饱和效应的研究及比对

• 作 者: 田浩 张正选 张恩霞 贺威 俞文杰 王茹
• 机 构: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院
• 出 处: 功能材料与器件学报
• 发表日期: 2007年6期
• 关键词: 注氧隔离 绝缘体上硅(SOI) 总剂量辐射效应 MOS晶体管 SIMOX SOI total dose radiation effect MOS transi

利用标准SIMOX材料制作了部分耗尽环型栅NMOS晶体管，并在ON偏置条件下分别对其进行了10keVX射线及^60Coγ射线总剂量辐照实验。实验结果表明，在两种辐射条件下NMOS晶体管的背栅阈值电压漂移量都会随着辐照剂量的升高而趋于饱和。实验分析并研究了这种现象的机理，并发现在较低的辐照剂量下^60Coγ射线造成的背栅阈值电压漂移量较大，但在高剂量条件下X射线造成的漂移量将超过^60Coγ射线。