高激发密度下磷化镓等电子陷阱束缚机制研究

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一、前言 很早就有激子受激光发射的报导,激子激光器的研究越来越受到人们的重视,为此,在高激发强度下,研究磷化镓中等电子陷阱束缚激子发光,无疑具有重要意义。 多年来,人们对GaP中激子束缚机制进行了大量研究。HTL模型及Allen模型可以说是两个比较成功模型。前者注重于等电子杂质原子与所取代的基质原子在电负性上的差异, I. Preface Earlier excitons were reported by laser emission. Researches on exciton lasers have drawn more and more attention. For this reason, under the condition of high excitation intensity, it is no doubt that studying the phosphine gallium phosphide intermediate electron traps bound excitons to emit light It is of great significance. For many years, a great deal of research has been conducted on the exciton binding mechanism in GaP. HTL model and Allen model can be said to be two more successful models. The former focuses on the electronegativity difference between the isoelectronic impurity atoms and the replaced matrix atoms,
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