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【摘 要】
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对自主研发的40nm工艺SRAM型FPGA电路的抗总剂量辐射能力进行摸底试验和分析.试验表明,采用普通商用40nm工艺未做加固的FPGA电路抗总剂量辐射能力可达100krad（Si）,说明普通商用
【机 构】
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无锡中微亿芯有限公司,中国电子科技集团公司第五十八研究所
【出 处】
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电子与封装
【发表日期】
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2017年12期
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