Design of 1 kbit antifuse one time programmable memory IP using dual program voltage

• 作 者: 金丽妍 JANG Ji-Hye KIM Du-Hwi KIM
• 机 构: DepartmentofElectronicEngineering
• 出 处: 中南大学学报：英文版
• 发表日期: 2011年1期
• 关键词: 可编程存储器 IP设计 反熔丝 双电压 一次性 比特 电源管理集成电路 OTP存储器 one time programmable memory IP anti
• 基金项目: Foundation item： Work supported by the Second Stage of Brain Korea 21 Projects

一倍可编程的 1 kbit antifuse (OTP ) 记忆 IP，是非不稳定的记忆 IP 之一，被设计并且为力量管理集成电路(IC ) 使用了。当比薄门氧化物并且同时的故障电压使用更高的电压时，用单个积极节目电压(V PP ) 的一个常规 antifuse OTP 房间有一个问题，固定中等电压(V M ) 的可靠性是厚门晶体管的设备。用双节目电压的一个新 antifuse OTP 房间被建议在资格测试或收益落下为失败阻止可能性。为最新建议的房间，察觉到的一个马厩从几 1 万欧姆的节目以后的电阻被固定