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采用提拉法生长了掺Nd3+浓度为0.2 mol(N1)%,0.5 mol(N2)%,0.8 mol(N3)%的Nd:LiNbO3晶体.测试了Nd:LiNbO3晶体的红外吸收光谱、紫外-可见吸收光谱并深入研究了其内部缺陷结构.通过对光谱的测试与分析得出:Nd3+在低浓度掺杂过程中优先取代反位铌NbLi4+位及Li+位,随着掺杂浓度的增加主要取代反位铌NbLi4+位.