设计小椭圆度的圆波导移相器的新方法

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本文介绍设计小椭圆度的圆波导移相器的新方法。该方法在理论上虽不严格,但在工程应用上作为处理某些难解决的相移问题却是有效的。在4GHz频段500MHz带宽内,90°相移量的理论值与实测值间的最大差异仅为1.4°。
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本文给出了在直、柱和球坐标系中的规则边界条件下的M和N类矢量波函数及其归一化积分的普遍形式,并由此得到了相应的格林函数的普遍形式。
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本文用光电导归一化法得出α -Si:H膜在低吸收区的光吸收系数谱;用电子从价带的指数尾态和导带边以下1.0 eV处,由悬挂键形成的局域态到导带扩展态的跃迁,解释了实验结果;并从而得出费米能级E_F以下的隙态密度,通过对复合动力学的研究,还得到费米能级以上(E_(F_n)—E_F)的局域态密度的平均值,从而得出费米能级以上部份的态密度。结果表明导带尾比价带尾窄。
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本文应用萨温扰动形式的映射函数处理电磁波绕射导体的二维问题。提出了渐近求解这一问题的一般方法及相应的渐近公式,特别是基于圆柱形导体的渐近,文中给出了“0”级及“1”级渐近解的具体算式。
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本文概述了设计二维数字滤波器的已有的几种主要的设计方法,提出了一种简单的设计方法——组合设计法。这种方法具有计算代价低、易于实现线性相移、便于向多维推广等优点。实验结果表明:这种方法比二维窗口法计算代价还低、设计效果更好。它不仅适于在图像处理或其他计算机系统中作为应用软件使用,也适于在涉及二维或多维数字滤波的研究工作中采用。
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本文讨论了应用频域远区近似夫累涅尔-基尔霍夫公式计算瞬态辐射场的局限性。指出在瞬态信号激励下,必须用严格的夫累涅尔-基尔霍夫公式来计算辐射场,否则将丢失许多重要的瞬态特性。
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一、引言 计算矩形同轴带状线的电容是相当困难的,迄今只见到尺寸满足一定条件时的近似解,尚未见到一般情况下的准确解。有关计算电容的已有近似公式大多是基于保角变换法导得的,例如,Tippet和Chang应用变换式t=sn~2(mz,k)将Z平面上的O—
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本文计算了在平衡自场、线性摆动器场和轴向磁场作用下的电子轨道,并由此求得有线性摆动器的自由电子激光器的自发辐射和受激辐射。结果表明自场有增强辐射的作用。
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在具有轴对称特性电磁场的数值分析中,用矩形截面环单元分析具有比其他单元更多的优点。本文推导出了该单元的拉普拉斯方程、泊松方程和波动方程的单元特征式。并运用该单元成功地分析了圆柱形电容器的场结构和加载同轴腔端部的电容值和品质因数。
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本文从电子在理想均匀静电场中的运动方程出发,推导出了三级几何象差的公式。所得结果不但可用来估算点束或成形束的畸变、象散、和场曲彗差量,而且可用来选择偏转器的初始尺寸和确定对中偏差所造成的影响。本文还指出了前人工作中存在的一些错误。
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本文用等效电路的方法,推导了腔的谐振频率及Q值表达式,并用螺线管的磁场等效腔的磁场,进一步得出了Q值与腔的尺寸、屏蔽壳及耦合环之间的关系。用计算机作出了关系曲线,从曲线可以得到腔的最佳设计方案。 在1到1.4GHz频率范围内的实验表明:Q值容易达到900~1000。这种腔具有结构简单、体积小、调谐范围宽及Q值高等优点。
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