KTa0.55Nb0.45O3薄膜的介电和铁电及热释电性能研究

• 作 者: 王世敏 李佐宜
• 机 构: 湖北大学化学与材料科学学院,华中理工大学电子科学与技术系
• 出 处: 硅酸盐学报
• 发表日期: 1999年6期
• 关键词: 钽铌酸钾 薄膜 热释电性能 介电 铁电 potassium tantalate niobate thin film sol-gel method prep
• 基金项目: 国家自然科学基金!资助项目，编号：59302015

在ＢＴ／Ｐｔ／Ｔｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ衬底上用溶胶－凝胶法制备了ＫＴａ０．５５Ｎｂ０．４５Ｏ３（ＫＴＮ）薄膜，０．５μｍＫＴＮ－０．０８μｍＢＴ薄膜在２５℃，１．０ｋＨｚ时，其εｒ＝１１１４，ｔａｎδ＝２．５％；１２℃时，其中Ｐｒ＝２．１μＣ／ｃｍ＾２，Ｐｓ＝４．２μｃ／ｃｍ＾２，Ｅｃ＝５．８ｋＶ／ｃｍ，０．５μｍ厚ＫＴＮ膜的Ｃｕｒｉｅ温度为３５℃；１．０ＫＨｚ时，ＫＴＮ膜的εｒ＝１４１２，估算ＫＴＮ