一氧化硅电致激发光谱理论研究

• 作 者: 徐国亮 袁伟 郭雁 韩梦媛 吴苗 刘雪平 刘梦楠 吕文静 孙
• 机 构: 河南师范大学物理与电子工程学院,四川大学原子与分子物理研究所
• 出 处: 原子与分子物理学报
• 发表日期: 2004年期
• 关键词: SiO 电致发光 激发态 含时密度泛函

采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory) TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.