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在有效质量近似下,运用变分方法,考虑内建电场(BEF)效应和量子点的三维约束效应,研究了纤锌矿结构的GaN/Al,Ga1-xN,InxGa1-xN/CaN柱形量子点中类氢杂质态结合能随量子点的结构参数(量子点高度L和量子点半径尺)、Al或In含量和类氢杂质位置的变化规律,并计算了考虑量子点内外电子有效质量不同后对杂质态结合能的修正.结果表明:类氢杂质位于量子点中心时,杂质态结合能随量子点高度、半径的增加先增大后减小,存在最大值.对GaN/Al;Ga1-xN量子点,随着Al含量的增加,杂质态结合能增大;杂质