【摘 要】
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采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO（GZO）薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明:所制得的GZO
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采用射频磁控溅射法在玻璃基底上制备了Ga掺杂ZnO（GZO）薄膜,在传统磁控溅射系统中引入外加磁场,探究了磁场强度变化对GZO薄膜晶体结构和光电性能的影响。结果表明:所制得的GZO薄膜结构均为六角纤锌结构且在[002]方向沿C轴择优取向;外加磁场强度对薄膜的光电性能具有较大影响,在可见光范围内,薄膜的平均透光率超过93%,并出现了Moss-Burstein效应;薄膜的电学性能得到提升,其电阻率从4.96×10-3Ω·cm降至3.17×10-4Ω·cm,霍尔迁移率从7
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