MBE生长的Be掺杂GaAs结构和光学特性研究

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本文报道了分子束外延(MBE)生长的Be掺杂GaAs,通过改变Be掺杂源的温度我们得到了不同掺杂浓度的GaAs样品。利用原子力显微镜(AFM)和霍尔测试仪分别对样品的表面形貌和电学特性进行表征。特别的,在低温和随温度变化的光致发光谱中,与Be受主相关的辐射被观察到,且随着掺杂浓度的增加与Be受主相关的辐射也相应地加强。
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