基于199Hg+离子囚禁的四极线型离子阱径向囚禁势的研究(英文)

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在汞离子(199Hg+)微波频标中,通过四极线型离子阱囚禁汞离子(199Hg^+)获得超精细跃迁光谱。汞离子的囚禁与频标稳定度紧密相关。在满足Mathieu方程稳定性条件的情况下,研究了该频标径向囚禁势对阱中囚禁汞离子(199Hg^+)数的影响。经扫频,其影响表现在荧光强度、谱线宽度和中心频率三个方面的变化上.随着径向囚禁势的增加,荧光的强度增大,谱线宽变窄,中心频率向左偏移.由此,设计了小型化射频源,以确保离子的稳定囚禁。经测试,小型化射频源幅度的标准差稳定度为0.51 V。其体积仅0.1 L,功耗约3
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