【摘 要】
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应用光学显微镜 ,X射线衍射 ,激光层析和分子光谱等方法观察和分析了用中频感应提拉法生长的YVO4和Nd :YVO4晶体中缺陷。观察表明 ,晶体中的主要缺陷有如下几种 :( 1 )开裂 ,
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应用光学显微镜 ,X射线衍射 ,激光层析和分子光谱等方法观察和分析了用中频感应提拉法生长的YVO4和Nd :YVO4晶体中缺陷。观察表明 ,晶体中的主要缺陷有如下几种 :( 1 )开裂 ,主要包括无规则开裂 ,解理和微裂纹等。( 2 )包裹体 ,主要包括无规则形状的无序和有序排列的包裹体 ,气泡以及铱小片等。( 3)小角度晶界。( 4)色心等。无规则开裂通常是由机械杂质或自发形成的杂晶进入生长晶体而造成的。晶体容易沿垂直于a轴方向解理 ,这与晶体的结构和各向异性的热膨胀性质有关。而晶体中的微开裂都处在微小
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