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由于ＦｅＳ２具有窄的禁带宽度（Ｅｇ＝０．９５ｅＶ）和高的吸收系数（ａ〉６×１０＾５ｃｍ＾－１），使它成为一种很有发展前途的太阳能材料。本文主要介绍了用射频溅射制备铁膜，然后在真空中（１０＾－１Ｐａ），通过控制时间和温度进行硫化。经ＸＲＤ和ＡＥＳ对薄膜进行分析，表明试样在硫化温度Ｔ＝４００℃，时间ｔ＝４８ｈ的条件下，Ｆｅ膜转变为ＦｅＳ２膜。