【摘 要】
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采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷(PZN-PMS-PZT-r MnO2).考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响,即室温介电常数ε、介电损耗tan δ
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采用传统的电子陶瓷工艺制备了高性能四元系压电陶瓷(PZN-PMS-PZT-r MnO2).考察了不同剂量的锰掺杂对压电陶瓷的介电性能和压电性能的影响,即室温介电常数ε、介电损耗tan δ、居里温度Tc、机电耦合系数kp、压电常数d33和机械品质因数Qm.随着Mn含量的增加,ε和tan δ均减小;由于内偏置场的影响,居里温度Tc随锰含量的增加而增加.kp和d33随Mn含量的增加而减小;而Qm表现出较复杂的变化规律,随Mn含量的增加Qm先增加,当r=0.2%时,达到最大值1 000,当r>0.2%时,Qm下降.实验结果表明:当r=0.2%的锰掺杂压电陶瓷比较适合制作压电马达,其压电性能为ε=1 200、tan δ=0.004、Tc=349 °C、kp=0.60、d33=380 pC/N和Qm=1 000.
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