【摘 要】
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本文分析了电子器件发展的两次变革，比较了真空电子器件、微电子器件和纳电子器件的结构与特性，给出了它们在理论、材料和技术上的主要差别。提出了纳电子器件的基础结构是纳米
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本文分析了电子器件发展的两次变革，比较了真空电子器件、微电子器件和纳电子器件的结构与特性，给出了它们在理论、材料和技术上的主要差别。提出了纳电子器件的基础结构是纳米点双隧道结构成的单电子管（ＳＥＴ），纳米功能单元的超高密度集成是纳电子器件的主要特征。
This article analyzes two changes in the development of electronic devices, compares the structure and characteristics of vacuum electronics, microelectronics and nanoelectronics, and presents the main differences in theory, material and technology. It is proposed that the basic structure of nanoelectronic devices is a single electron tube (SET) made of nanodots with double tunnel structure. The ultra-high density integration of nanofunctional cells is the main feature of nanoelectronic devices.
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