【摘 要】
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采用一个能解释电子能量弛豫效应的两维模型,研究了栅长、有源层厚度以及缓冲层电流对短栅长GaAs FET的静态和射频参数的影响。对于夹断电压相近的器件来说,饱和电流大致相等
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采用一个能解释电子能量弛豫效应的两维模型,研究了栅长、有源层厚度以及缓冲层电流对短栅长GaAs FET的静态和射频参数的影响。对于夹断电压相近的器件来说,饱和电流大致相等,但当器件存在衬底电导时,其跨导和增益带宽乘积将大大降低。对频率响应与栅长、施主浓度、栅电阻以及源电感的关系作了数字估算。业已证明此模型与测量的亚微米器件特性比较符合。
The effect of gate length, active layer thickness and buffer current on the static and RF parameters of short-gate GaAs FETs is investigated by using a two-dimensional model that explains the relaxation effect of electron energy. Saturation currents are approximately equal for devices with similar pinch-off voltages, but the product of transconductance and gain bandwidth is significantly reduced when the device has substrate conductivity. A numerical estimation of the frequency response versus gate length, donor concentration, gate resistance, and source inductance is made. This model has been shown to be more in line with the measured characteristics of sub-micron devices.
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