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生长率，做的集中和表面形态学的先锋集中依赖在 4H-SiC (0001 ) 的取向附生的生长被调查了有用在经常的 C/Si 下面的各种各样的先锋集中的水平热墙的 CVD 系统的 epilayers 比率。形成通过煤气的阶段成核被形成的硅簇在控制做的集中和硅碳化物的取向附生的生长率起一个重要作用，这被发现的试验性的数据。硅簇的集中不能由使用低 SiH4 集中在这个过程到达平衡价值，这被观察，并且这现象没被其它报导了。