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为改善贝氏体铁素体基体(TBF钢)的超高强度低合金TRIP钢的延滞断裂强度,研究了0.2%C-0.2-1.5%Si-1.5%MnTBF钢中址含量对吸氢行为和延滞断裂性能的影响。当灿加入到TBF钢中,氢的扩散性增大,氢不仅存在于残余奥氏体膜中,也存在于板条边界。与常用TBF钢相比,含Al的TBF钢的延滞断裂强度显著提高,这主要由于(1)抑制了稳定的富c奥氏体因应变诱导而向马氏体转变,(2)氢聚集在板条内、残余奥氏体膜内和板条边界处,(3)残余奥氏体的TRIP作用导致应力集中的松驰。