磷化铟中铁原子替位与填隙的热致转变及其对材料性质的影响

• 作 者: 赵有文 苗杉杉 董志远 吕小红 邓爱红 杨俊 王博
• 机 构: 中国科学院半导体研究所,北京,100083四川大学物理学院应用物理系,成都,610065
• 出 处: 物理学报
• 发表日期: 2007年9期
• 关键词: 磷化铟 铁激活 退火 半绝缘

高温退火后掺铁半绝缘(SI)InP单晶转变为n型低阻材料.利用霍尔效应(Hall),热激电流谱(TSC),深能级瞬态谱(DLTS),X射线衍射等方法分别研究了退火前后InP材料的性质和缺陷.结果表明受高温热激发作用部分铁原子由替位转变为填隙,导致InP材料缺少深能级补偿中心而发生导电类型转变.通过比较掺杂、扩散和离子注入过程Fe原子的占位和激活情况分析了这一现象的机理和产生原因.