白光LED用Ce：YAG单晶光学性能及封装工艺的研究

• 作 者: 向卫东 赵斌宇 梁晓娟 陈兆平 谢翠萍 骆乐 张志敏 张景峰
• 机 构: 温州大学化学与材料工程学院,同济大学材料科学与工程学院
• 出 处: 无机材料学报
• 发表日期: 2014年6期
• 关键词: 白光LED 铈掺杂钇铝石榴石 光学性能 封装工艺 光电性能 WLED yttrium aluminum garnet doped with Ce lumin
• 基金项目: 国家自然科学基金（51172165,51372172）,浙江省自然科学基金重点项目（Z4110347）,浙江省重大科技专项重大工业项目（2012C01028-2）,湖州市自然科学基金（2011YZ02）

采用提拉法生长了白光LED用Ce：YAG单晶，通过吸收光谱、激发发射光谱和变温光谱对其光学性能和热稳定性进行了表征，并研究了晶片用于封装白光LED光源中各因素对其光电性能的影响。Ce：YAG晶片能被466 nm波长的蓝光有效激发，产生500-700 nm范围内的宽发射带。Ce3＋的4f→5d轨道的跃迁吸收对应于202、219、247.3、347.4和455.5 nm五个吸收峰，据此量化分裂的5d能级能量，依次为21954、29154、40437、45662和49505 cm-1。温度升高， Ce3＋的2F