论文部分内容阅读
多晶ＺｎＳｅ采用先进的ＣＶＤ技术生长，有着优异的光学特性，是激光与红外窗口材料的最佳选择之一。然而ＣＶＤ技术生长多晶ＺｎＳｅ，其工艺条件复杂，不同的生长条件有可能获得结构完全不同的多晶体，从而影响其光学性能。我们对不同的工艺条件下（主要包括生长温度、反应压力、气体流量、以及配比等），生长的ＺｎＳｅ晶体的结构进行了研究。多晶ＺｎＳｅ的微观结构不同，表现在两个不同的表面，即多晶体的生长表面和多晶的侧面结构。研究多晶体的生长表面结构，得到的结果表明晶粒的平均大小在其它工艺条件相对不变的情况下取决于生长沉积温度，