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为了适应超大规模集成电路Si太阳电池和超导的需要,作者用■ES和I-V特性研究了N~+离子轰击对Si衬底上Nb,M0或Ti溥膜的深度分布和电学性质的影响。
N~+离子轰击对过渡金属Nb,Mo,Ti与Si接触界面的影响
【摘 要】
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为了适应超大规模集成电路Si太阳电池和超导的需要,作者用■ES和I-V特性研究了N~+离子轰击对Si衬底上Nb,M0或Ti溥膜的深度分布和电学性质的影响。
【机 构】
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西北大学物理系,西北大学物理系
【出 处】
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西北大学学报：自然科学版
【发表日期】
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1989年4期
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