【摘 要】
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近年来,功率半导体器件的应用领域不断扩展,对技术指标的要求日益提高。栅电荷是功率MOSFET动态特性的重要参数,在军用功率MOSFET器件研制、生产和使用过程中,对作为关键参数
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十七研究所
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近年来,功率半导体器件的应用领域不断扩展,对技术指标的要求日益提高。栅电荷是功率MOSFET动态特性的重要参数,在军用功率MOSFET器件研制、生产和使用过程中,对作为关键参数的栅电荷提出了更高的要求,该参数直接影响器件的整体性能,其测试结果与时间和频率有关,受分布参数、测试夹具和电路结构等因素影响较大。从栅电荷的定义着手,介绍了栅电荷的测试方法,比对国内外不同测试系统对栅电荷的测试结果,针对数据差异进行技术分析,为国内的栅电荷测试提供一定的参考和指导作用。
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