【摘 要】
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本文研究了由InGaAs/InAlAs材料组成,波长为4.6和5.1微米的量子级连中红外半导体激光器的光栅外耦合谐振腔的特性。在温度是80K时波长可调制宽度是激光中心波长的1.5%左右。
【机 构】
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UniversityofHouston,Houston,UniversityofHouston,Houston,UniversityofHouston,Houston,UniversityofHous
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本文研究了由InGaAs/InAlAs材料组成,波长为4.6和5.1微米的量子级连中红外半导体激光器的光栅外耦合谐振腔的特性。在温度是80K时波长可调制宽度是激光中心波长的1.5%左右。对于这两个激光器而言,它们的波长可调制宽度随温度升高而减低。被调制的单模激光器的输出光功率是几个毫瓦,激光的谱线宽度是1到2个微米。激光阈值电流随波长缓慢变化,然而激光输出效率在短波长时更加优化。
In this paper, we study the characteristics of out-grating coupled resonator in a quantum-grained mid-infrared semiconductor laser consisting of InGaAs / InAlAs with wavelengths of 4.6 and 5.1 μm. At a temperature of 80K, the wavelength-tunable width is about 1.5% of the laser center wavelength. For both lasers, their wavelength-tunable width decreases with increasing temperature. The output power of the modulated single-mode laser is a few milliwatts and the laser’s spectral line width is 1 to 2 microns. The laser threshold current varies slowly with wavelength, however the laser output efficiency is more optimized at short wavelengths.
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